三星电子全球率先批量生产3D垂直V-NAND闪存

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韩媒称，韩国研发出了能够将笔记本电脑的存储容量提升到超级计算机水平的技术。

据韩国《中央日报》8月7日报道称，8月6日，三星电子公布称，公司已经开始批量生产全球首款适用3维积层方式的闪存储存器（Nand Flash，即使电源关闭，信息也会保留的半导体存储器）中的“V Nand ”。该技术将曾经利用硅片上连接细电路制造出的半导体结构转变成了3维立体模式，瞬间跨越了一直被认为是线路细微加工工艺瓶颈的10纳米（nano meter,1纳米等于10亿分之1米）壁垒。

三星电子存储器事业部闪存开发室室长崔定赫（专务）当天在首尔三星电子瑞草本部举行媒体说明会介绍称“三星电子开展存储器业务30年就创造半导体事业新的转折点”。当天展示的“V闪存”容量为129Gb（gigabit），与今年4月投入批量生产的产品相同，但产品技术却与从前的产品完全不同。截至目前，半导体业界为了提高闪存集成度，一般都在竞相引进10纳米级工艺技术。但随着隔离电子储存数据的单元格间距缩小，引发了严重问题，电子突破壁垒肆无忌惮进入其它单元格的“干涉现象”逐渐严重。

三星通过类似建筑高层楼房的模式，通过立体堆积单元格的方式解决了这一问题，将之前扁平形态的单元格一圈圈围绕，然后以3维垂直方式进行累积，从而让干涉问题不再出现。当天公布的批量生产产品为24层结构。从理论上来说，如果层数增加，储存器的容量将能够无限扩展。如果容量能够像现在一样不断增大，预计5年之内，笔记本电脑上将可以安装用于超级计算机的1兆兆位（terabit，Tb）级存储器。

得益于立体的设计，储存器的使用速度也提高了2倍以上。同时，在不同产品中，决定单元格寿命的最大使用次数（耐久年限）也分别提高了2倍至10倍以上。



(乔鲜花 编辑)